CE OE WE COW Chip Enable Output Enable Write Enable CS - Chip Select CE OE WE CS = CE VCC VPP D7 .. D0 A15 .. A0 /CE /OE /WE NC /PGM NC - Not Connected D15 .. D0 A11 .. A0 A7 .. A0 Elemente E15 .. E0 Zeilendekoder Spaltendekoder X-Dekoder Y-Dekoder Address-Latch/Puffer Zeilenleitung Spaltenleitung Schreib-Leseverst"arker Gedachter, Speicher: Matrixspeicher E15 .. E0 A3, A2: Zeile A1, A0: Spalte Ausgangsverst"arker 27010 27.11 27.12 27513 27512 oder so PLHS18P8 CAM - Content Addressable Memory Matrixsspeicher Tabellenspeicher Festwertspeicher ROM MPROM EPROM PROM EEPROM Flash-EPROM PLD - Funktionsspeicher GAL PLA PAL Assoziativspeicher: Tag Datum FG-MOSFET Source, Drain, Gate, Bulk Viereckigen Block. An der oberen Kante, zwischen Mitte und Links und Mitte und Rechts, ist ein anders herum dotierter Halbleiter eingebracht. Auf der Mitte sitzen zwei noch mal isolierte anders herum isolierte Halbleiter im oberster wird es eingespocher. Floating Gate active low active high active low active high active low active high active low active high negative edge triggerd negative edge triggerd negative edge triggerd negative edge triggerd active low active high negative edge triggered active low active high negative edge triggered tristate active low active high negative edge triggered input/output input/output input/output read/write read/write read/write read/write output: tristate output: tristate output: tristate active low active high negative edge triggered active low active high negative edge triggerd read/write read/write read/write read/write active low active high negative edge triggerd tristate: output active low active high negative edge triggered tristate output input/output read/write input/output read/write input/output read/write 27210 27010 27210 27010 27210 27010 27011 27011 27011 27011 27010 27011 27010 27011 27010 27010 27010 27010 27011 27011 27011 27011 27210 27210 27210 27210 27512 27512 27512 27513 27513 27513